Toshiba presenta un MOSFET de carburo de silicio para inversores fotovoltaicos

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El fabricante japonés de electrónica Toshiba ha presentado un nuevo transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) basado en carburo de silicio (SiC) para aplicaciones en inversores solares y sistemas de almacenamiento de baterías.

Según la empresa, el nuevo MOSFET puede ayudar a los fabricantes de inversores a reducir el tamaño y el peso de sus productos.

“El funcionamiento a frecuencias más altas permite reducir el tamaño y el peso de otros componentes del sistema, como disipadores de calor y filtros”, afirma la empresa.

El nuevo producto alberga un diodo de barrera Schottky (SBD) de 2.200 V y está pensado para su uso en inversores de dos niveles en sistemas de tensión de 1.500 V (CC). Los dispositivos de dos niveles tienen menos módulos de conmutación que los inversores de tres niveles, lo que se traduce en sistemas más pequeños y ligeros, según el fabricante.

Los módulos de SiC funcionan con bajas pérdidas de conducción y baja tensión de encendido en la fuente de drenaje. También tienen unas pérdidas de conmutación de encendido y apagado inferiores, de 14 mJ y 11 mJ, respectivamente. Además, presentan una inductancia de dispersión baja, una resistencia térmica baja y un termistor integrado.

Vista transversal esquemática del MOSFET SiC de 2200 V de Toshiba.

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