Unas horas después de que Trina Solar revelara haber alcanzado la mayor eficiencia mundial para células solares de silicio con un dispositivo híbrido de contacto posterior compatible con TOPCon (THBC) con una eficiencia de 28.0%, el fabricante chino de módulos Longi anunció que logró una eficiencia superior de 28.13% con una célula solar híbrida de contacto posterior interdigitado (HIBC).
El resultado fue confirmado de forma independiente por el Instituto de Investigación de Energía Solar de Hamelín (ISFH) de Alemania.
Longi también indicó que módulos basados en HIBC con una eficiencia de 26.4% fueron certificados por el Laboratorio Nacional de Energías Renovables (NREL) de Estados Unidos. “Estos avances en capacidad tecnológica ya se han traducido en una ventaja en la producción a escala”, señaló la compañía en un comunicado.
Longi detalló la arquitectura de su célula solar HIBC en un artículo científico publicado en noviembre. La empresa indicó que el dispositivo combina contactos pasivados por túnel, capas dieléctricas de pasivación y contactos tanto de tipo n como de tipo p.
La célula se construye sobre una oblea M10 de media celda de alta resistividad con pasivación de bordes y contactos optimizados de tipo n producidos mediante un proceso combinado de alta y baja temperatura. Una capa de óxido de indio y estaño (ITO) mejora el transporte lateral, mientras que recubrimientos multicapa de óxido de aluminio (AlOx) y nitruro de silicio (SiNx) reducen la recombinación superficial.
Los investigadores también redujeron el dopado de fósforo en la capa de silicio policristalino de tipo n para limitar la difusión de dopantes hacia la oblea. La tecnología de pasivación de bordes in situ de la empresa permite la pasivación durante la fabricación. Además, dedos metálicos con zanjas profundas y el grabado selectivo del ITO ayudan a evitar fugas entre los contactos de tipo n y tipo p, mientras que una capa más gruesa de silicio amorfo mejora la cobertura de la unión y el encapsulado de las paredes laterales. Para reducir la resistividad de contacto sin comprometer la pasivación, la capa de silicio amorfo se cristaliza mediante un láser verde pulsado de nanosegundos.
Longi afirmó que la tecnología podría escalarse para la fabricación de células solares de heterounión, aunque aún se requieren mejoras adicionales para reducir las pérdidas resistivas en el contacto de tipo p.
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